Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы

И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов


Аннотация: Дан обзор современного состояния проблемы лазерного отжига (ЛО) полупроводников, явившегося началом нового научно-технического направления — импульсной модификации свойств материалов. Рассмотрены основные физические явления, происходящие при ЛО: отражение и поглощение света при воздействии на полупроводник мощными импульсами лазерного излучения, передача энергии от возбужденной электронной подсистемы решетке, восстановление разупорядоченной кристаллической структуры, отжиг точечных дефектов, электрическая активация имплантированной примеси и перераспределение ее в процессе отжига. Критически проанализированы результаты экспериментов по изучению механизмов ЛО и обсуждаются две основные модели: тепловая и плазменная. На примере имплантированных слоев кремния продемонстрированы главные особенности ЛО: высокое совершенство восстановленной кристаллической структуры, повышенная эффективность легирования, возможность получения метастабильных пересыщенных систем. В заключение сформулированы некоторые первоочередные задачи в области физики импульсного отжига полупроводников.