Туннельные эффекты в перезарядке глубоких центров в полупроводниках

В. Ф. Мастеров, В. А. Харченко


Аннотация: Проанализированы имеющиеся в литературе экспериментальные результаты по перезарядке глубоких центров в соединениях А$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$. С использованием модели потенциала нулевого радиуса для глубокого центра вычислены вероятности туннельных переходов между центрами с излучением различного числа фононов. Показано, что при расстояниях между центрами ${100\div200}$ Å времена таких переходов достигают значений ${\tau=10^{2}\div10^{3}}$ с, что находится в соответствии с опытными данными для GaAs$\langle$Cr$\rangle$ и GaP$\langle$Ni, Fe$\rangle$.