RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 3, страницы 400–406 (Mi phts1107)

Кинетика эксклюзии при высоком уровне оптического возбуждения

А. И. Вейнгер, Р. С. Касымова, Х. Р. Норкулова, Л. Г. Парицкий


Аннотация: В германии изучены переходные процессы в условиях эксклюзии при ${n,p\gg n_{0},p_{0}}$. Большая концентрация неосновных носителей создавалась сильным освещением образца. Установлено, что в таких условиях кинетика фототока становится нелинейной, а при еще более сильном освещении — немонотонной. Машинное моделирование процесса показало, что в этих условиях распределение носителей при их вытягивании из образца становится неоднородным. Появляются области с большой концентрацией носителей (аналогии «страт» в газовой плазме), которые практически не движутся. Установлены условия стабилизации «страт». Показано, что стабильные «страты» пульсируют, вызывая колебания тока в цепи. Получено качественное согласие численного расчета с экспериментом.



© МИАН, 2026