RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 2, страницы 328–331 (Mi phts1087)

Краткие сообщения

Использование электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур

В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев




© МИАН, 2026