RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 3, страницы 451–456 (Mi phts106)

Анализ обратных ветвей вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов в твердых растворах соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

А. Я. Вуль, С. В. Кидалов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Проанализированы различные механизмы избыточных туннельных токов в области «мягкого» пробоя $p{-}n$-переходов в твердых растворах соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с шириной запрещенной зоны ${E_{g}\simeq1}$ эВ. Основное внимание уделено анализу оригинальных результатов, полученных на резко асимметричных $p^{+}{-}n$-переходах твердых растворов в системе GaAs$-$GaSb. Показано качественное согласие экспериментальных ВАХ в области «мягкого» пробоя с предсказываемыми на основании флуктуационного механизма избыточных туннельных токов.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.08.1985
Принята в печать: 02.09.1985



© МИАН, 2026