RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 88–91 (Mi phts1026)

Анизотропная электрооптика свободных носителей. Вклад междузонных переходов

Ф. Т. Васько


Аннотация: Рассчитан вклад виртуальных междузонных переходов в анизотропию диэлектрической проницаемости, обусловленную дрейфом электронов или дырок в постоянном электрическом поле. Обсуждаются особенности частотной дисперсии вблизи края фундаментального поглощения, связанные со сложной структурой валентной зоны. Рассмотрена также анизотропия оптических свойств полупроводника при переходах дырок между подзонами вырожденной валентной зоны.



© МИАН, 2026