RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 1, страницы 58–61 (Mi phts1021)

О фотостимулированном магнитосопротивлении полупроводников

Нгуен ХонгШон, Г. М. Шмелев


Аннотация: Рассчитано магнитосопротивление (МС) невырожденного полупроводника в присутствии линейно поляризованной лазерной подсветки в классических магнитных полях H. Учтены разогрев электронного газа, а также дипольная и квадрупольная деформации функции распределения. Показано, что возникновение поперечной (по отношению к тянущему полю) ЭДС и нечетного МС (в слабых магнитных полях) обусловлено в основном квадрупольной деформацией. При этом, если рассеяние носителей происходит на акустических фононах, нечетное МС${{}\sim H\ln|H|}$. Фотостимулированное четное МС определяется в основном разогревными слагаемыми.



© МИАН, 2026