RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2240–2242 (Mi phts1006)

Краткие сообщения

Энергетические уровни в фосфиде галлия, ионно-имплантированном ниобием

В. В. Черняев, Н. Ю. Пономарев, В. В. Ушаков, В. А. Дравин, А. А. Гиппиус




© МИАН, 2026