RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 12,
страницы
2240–2242
(Mi phts1006)
Краткие сообщения
Энергетические уровни в фосфиде галлия, ионно-имплантированном ниобием
В. В. Черняев
, Н. Ю. Пономарев
, В. В. Ушаков
, В. А. Дравин
,
А. А. Гиппиус
Полный текст:
PDF файл (484 kB)
©
МИАН
, 2026