Фонон-фононное увлечение в полупроводниках

А. А. Бельчик, В. А. Козлов

Московский физико-технический институт

Аннотация: Развита теория фонон-фононного увлечения в примесных полупроводниках. Показано, что термоэдс двухступенчатого увлечения носителей в отличие от херринговской термоэдс оказывается обратно пропорциональной концентрации примеси. Установлено, что возможность проявления фонон-фононного увлечения в полупроводниках тесно связана с механизмом релаксации длинноволновых фононов при их рассеянии на тепловых. Обсуждаются экспериментальные условия наблюдения эффекта.

Поступила в редакцию: 22.05.1985
Принята в печать: 05.07.1985