ФИЗИКА

Тонкопленочный конденсатор на основе титаната бария, сформированного золь-гель методом на титане

Н. В. Гапоненко^a, Р. Т. Махмутов^a, Е. И. Лашковская^a, Е. В. Телеш^a, К. В. Шустикова^a, В. А. Ковалев^a, Ю. В. Радюш^b, Д. В. Жигулин^c, В. А. Пилипенко^c, А. В. Семченко<sup>d

a</sup> Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
^b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск
^c ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
^d Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины

Аннотация: На основе многослойной золь-гель пленки титаната бария с использованием титановой подложки изготовлен лабораторный тонкопленочный конденсатор. Приведены результаты измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь сформированного конденсатора в диапазоне частот 0,2 кГц – 200 кГц. Установлено, что при переходе от низкочастотного диапазона к высокочастотному значение тангенса угла диэлектрических потерь уменьшается на порядок и составляет 0,032–0,039 для диапазона частот от 50 кГц до 200 кГц. Для всего исследуемого диапазона значение емкости конденсатора составляет 560–750 пФ и удельной емкости 41–55 нФ/см$^2$. Для диапазона частот 0,2 кГц – 200 кГц рассчитана диэлектрическая проницаемость титаната бария, изменяющаяся от 136 до 43.

Ключевые слова: BaTiO$_3$, золь-гель метод, емкость пленочного конденсатора, тангенс угла диэлектрических потерь.

УДК: 539.23:537.39:661.6

Поступила в редакцию: 28.05.2024

DOI: 10.54341/20778708_2024_3_60_7