Аннотация:
Получены спектры пропускания одномерной фотонной кристаллической структуры, у которой диэлектрическая проницаемость слоя внедрения (или резонаторного слоя) во много раз больше проницаемости слоев в брэгговских зеркалах. Показана возможность практически полного подавления пропускания не только в фотонной запрещенной зоне (за исключением узкой области дефектной моды), но и вне запрещенной зоны. Выявлены особенности распределения плотности энергии волнового поля по структуре.