Аннотация:
Теоретически исследована зависимость коэффициента отражения при встречном четырехволновом взаимодействии в фоторефрактивном полупроводнике GaAs от его пространственной ориентации. Для расчетов использовались уравнения связанных волн, при составлении которых допускалось, что в кристалле формируются вторичные комбинированные голографические решетки с фазово-амплитудной структурой. В теоретической модели учитывался совместный вклад линейного электрооптического, фотоупругого, обратного пьезоэлектрического эффектов, а также естественное поглощение регистрирующей среды. Установлено, что при использовании полупроводника GaAs максимальная эффективность дифракции при встречном четырехволновом взаимодействии достигается в случае, когда нормаль к плоскости среза кристалла ориентирована вдоль одного из направлений $\langle$234$\rangle$. В случае, когда нормаль к плоскости среза направлена вдоль $\langle$112$\rangle$ и $\langle$111$\rangle$, коэффициент отражения может достигать, соответственно, 90% и 80% от максимально возможной величины.
Ключевые слова:
четырехволновое взаимодействие, обращение волнового фронта, фоторефрактивный кристалл, коэффициент отражения, уравнения связанных волн.
Поступила в редакцию: 05.01.2025 Исправленный вариант: 21.02.2025 Принята в печать: 21.02.2025
Полный текст:
PDF файл (880 kB)