Аннотация:
Сообщается о результатах разработки и исследования свето- и фотодиодов на основе гетероструктуры $n$-InAs/N-InAsSbP/InAsSb/P-InAsSbP с рабочей длиной волны около 4.2 $\mu$m ($T$ = 296 K). Приведены данные исследования электролюминесценции и фотоэлектрических характеристик в интервале температур 200–500 K. Сообщается о результатах разработки на основе вышеуказанных компонентов недисперсионного малогабаритного датчика углекислого газа, характеризующегося порогом обнаружения не более 25 ppm при частоте выборок 128 ms, оптическом пути 2 cm и энергопотреблении менее 50 mW.