Конференция ФизикА
Оптические материалы

Выращивание кристаллов K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$ из раствора в расплаве KF и исследование их свойств

Ю. Г. Носов^a, С. В. Шапенков^ab, О. Ф. Вывенко^b, Г. В. Варыгин^ab, М. П. Щеглов^a, А. А. Кицай^a, А. В. Чикиряка^a, В. И. Николаев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследований кристаллографических, электрических и оптических свойств кристаллов K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$, впервые полученных при взаимодействии раствора Ga$_2$O$_3$ с расплавом KF. Кристаллическая структура образцов соответствовала гексагональному $P6_3$/mmc $\beta$-галлату с параметрами решетки $a$ = 5.80 $\mathring{\mathrm{A}}$ и $c$ = 23.5 $\mathring{\mathrm{A}}$. Кристаллы являлись изоляторами с сопротивлением порядка 2–3 G$\Omega$ на 450 $\mu$m длины. Впервые для K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$ определены оптическая ширина запрещенной зоны в 3.77 eV и собственная полоса люминесценции в диапазоне 2.0–2.5 eV.

Ключевые слова: оксид галлия, галлаты, рост кристаллов, катодолюминесценция.

Поступила в редакцию: 29.04.2025
Исправленный вариант: 17.06.2025
Принята в печать: 24.10.2025

DOI: 10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25