Аннотация:
Исследованы импульсные характеристики фотоответа однопереходных и трехпереходных монолитных GaAs/AlGaAs $p$–$i$–$n$-фотопреобразователей (250 $\mu$m) в фотовольтаическом режиме при возбуждении импульсным излучением с $\lambda$ = 850 nm. Пиковая плотность мощности лазерного излучения $(P_{\mathrm p})$ варьировалась до 9.6 kW/cm$^2$ при длительности импульсов 140 ps. Показано, что уширение импульса фотоответа для однопереходных фотопреобразователей обусловлено влиянием коллапса электрического поля $p$–$i$–$n$-перехода при $P_{\mathrm p}\ge$ 1.1 kW/cm$^2$. В трехпереходных монолитных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-фотопреобразователях при пиковой плотности мощности излучения до 9.6 kW/cm$^2$ продемонстрировано существенное увеличение амплитуды генерируемого электрического импульса и быстродействия в субнаносекундном диапазоне.
Полный текст:
PDF файл (317 kB)