Международная конференция ФизикА.СПб/2025
Спектроскопия конденсированного состояния

Особенности измерения теплового сопротивления микросборки мощных нитрид-галлиевых НЕМТ с кремниевым MOSFET, включенных по каскодной схеме

В. И. Смирнов^ab, В. А. Сергеев^b, А. А. Гавриков<sup>b

a</sup> Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
^b Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия

Аннотация: Исследованы теплоэлектрические процессы в GaN-транзисторах с каскодной структурой, состоящей из последовательно соединенных HEMT и MOSFET. Показана возможность определения сопротивления каналов HEMT и MOSFET по результатам измерения вольт-амперных характеристик каскодной структуры в различных режимах включения и приведены оценки тепловой мощности, рассеиваемой в обоих кристаллах. Компоненты теплового сопротивления транзистора определялись с помощью аппаратно-программного комплекса, реализующего модуляционный метод измерения с разогревом объекта импульсами греющего тока с широтно-импульсной модуляцией по гармоническому закону. Полученные значения компонент теплового сопротивления хорошо согласуются с паспортными данными транзистора.

Ключевые слова: нитрид-галлиевый транзистор, каскодная структура, НЕМТ, MOSFET, тепловое сопротивление, модуляционный метод, тепловое излучение.

Поступила в редакцию: 07.05.2025
Исправленный вариант: 07.05.2025
Принята в печать: 24.10.2025

DOI: 10.61011/OS.2025.10.61939.8037-25