Нанофотоника

Температурная зависимость интенсивности люминесценции гетероструктуры CdTe/Cd$_{0.6}$Mg$_{0.4}$Te при надбарьерном возбуждении

В. Ф. Агекян^a, М. Э. Лабзовская^a, А. Ю. Серов^a, Н. Г. Философов^a, G. Karczewski<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Institute of Physics PAN, Warsaw, Poland

Аннотация: Исследована температурная зависимость люминесценции квантовой ямы CdTe/Cd$_{0.6}$Mg$_{0.4}$Te в диапазоне температур 5–200 K. Установлено, что при подбарьерном возбуждении эта зависимость характеризуется двумя каналами безызлучательной рекомбинации с энергиями активации 0.01 и 0.037 eV. При надбарьерном возбуждении в температурной зависимости интенсивности люминесценции квантовой ямы наблюдается особенность, связанная с делокализацией экситонов в барьере CdTe/Cd$_{0.6}$Mg$_{0.4}$Te. Безызлучательная рекомбинация в барьере характеризуется двумя значениями энергии активации: 0.0065 и 0.046 eV. Предложена модель, описывающая влияние температуры на интенсивность люминесценции квантовой ямы и барьера, в которой учитываются делокализация экситонов в барьере и их захват на центры безызлучательной рекомбинации.

Ключевые слова: полупроводники II–VI, гетероструктуры, квантовые ямы, люминесценция, перенос возбуждения.

Поступила в редакцию: 25.04.2025
Исправленный вариант: 25.04.2025
Принята в печать: 26.05.2025

DOI: 10.61011/OS.2025.07.61111.7888-25

Реферативные базы данных:

•