Оптика низкоразмерных структур, мезоструктур и метаматериалов

Рентгенолюминесцентные свойства пленок оксида цинка на M- и A-плоскостях сапфира

И. Д. Веневцев^a, А. Э. Муслимов^b, А. П. Тарасов^b, Л. Л. Эмирасланова^c, А. М. Исмаилов^c, В. М. Каневский<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, 119333 Москва, Россия
^c Дагестанский государственный университет, 367000 Махачкала, Республика Дагестан, Россия

Аннотация: Представлены результаты сравнительных исследований процессов высокотемпературного синтеза, люминесцентных и сцинтилляционных характеристик пленок ZnO на подложках сапфира М(100)- и А(110)-ориентаций. Показано, что использование метода магнетронного осаждения позволяет формировать на фоне сплошной пленки ансамбли индивидуальных [001]-микрокристаллов ZnO с выраженными рентгенолюминесцентными свойствами. Кинетика рентгенолюминесценции характеризуется двумя компонентами: быстрой компонентой со временем спада порядка наносекунды и длинным плечом медленной люминесценции. Исследование пленок методом фотолюминесцентной спектроскопии выявило особенности спектров краевой люминесценции образцов, в частности присутствие различных экситонных каналов излучения. Обнаружены и интерпретированы различия в спектральных параметрах полосы краевой люминесценции в случае оптического и рентгеновского типов возбуждения.

Ключевые слова: пленки, микрокристаллы, оксид цинка, рентгенолюминесценция, фотолюминесценция, экситонное излучение.

Поступила в редакцию: 20.06.2022
Исправленный вариант: 19.07.2022
Принята в печать: 05.09.2022

DOI: 10.21883/OS.2022.11.53780.3845-22

Реферативные базы данных:

•