Оптические сенсоры и преобразователи

Микрооптопара ($\lambda$ = 3.4 $\mu$m) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО

С. А. Карандашев, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены фотоэлектрические свойства микрооптопары, предлагаемой для применения в качестве датчика концентрации этанола в водном растворе, использующего метод многократно нарушенного полного внутреннего отражения (МНПВО). Микрооптопара представляет собой микрочип из монолитной двойной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs c тремя мезами/индивидуальными диодами, выращенными на общей подложке $n^+$-InAs, которая выполняла также и роль волновода. Два диода использовались в качестве фотодиодов, один – как светодиод. Для определения концентрации этанола в водном растворе были использованы алгоритмы калибровки и обработки данных, основанные на измерении и учете параметров вольтамперных характеристик фотодиодов и ватт-амперных характеристик светодиода.

Ключевые слова: фотодиоды среднего ИК диапазона, светодиоды среднего ИК диапазона, микрооптопара, оптические датчики, датчик МНПВО.

Поступила в редакцию: 07.02.2022
Исправленный вариант: 22.04.2022
Принята в печать: 28.04.2022

DOI: 10.21883/OS.2022.08.52909.3236-22

Реферативные базы данных:

•