Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптические материалы

Зависимость фотолюминесценции от температуры отжига поликристаллических слоев ZnO : Te/Si(111)

А. К. Омаев, А. М. Багамадова, М. Е. Зобов

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Поликристаллические пленки ZnO : Te/Si(111) получены методом газофазной эпитаксии в водороде в проточном реакторе пониженного давления. Свойства пленок ZnO : Te/Si(111) исследованы с помощью фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и атомной силовой микроскопии. Фотолюминесцентные измерения показали, что в спектре излучения пленок ZnO : Te/Si(111) наблюдается весь диапазон видимой части спектра. Изучение спектра пленок ZnO : Te/Si(111) при 77 K показывает, что люминесценция смещается в красную область. Отжиг пленок при различных температурах (300–500$^\circ$C) приводит к общему уменьшению интенсивности и к смещению излучения в длинноволновую область спектра.

Ключевые слова: оксид цинка, люминесценция, структура, морфология.

Поступила в редакцию: 08.09.2021
Исправленный вариант: 08.11.2021
Принята в печать: 08.11.2021

DOI: 10.21883/OS.2022.03.52172.2721-21

 Англоязычная версия: Optics and Spectroscopy, 2022, 130:3, 203–206

Реферативные базы данных:

•