Нанофотоника

Фотоиндуцированный перенос заряда в слоистых 2D наноструктурах PbSe–MoS$_2$

И. Д. Скурлов, П. С. Парфенов, Д. А. Татаринов, А. А. Бабаев, А. В. Соколова, М. А. Баранов, А. П. Литвин

Центр "Информационные оптические технологии", Лаборатория "Оптика квантовых наноструктур", Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Полупроводниковые 2D-наноструктуры являются новой платформой для создания современных оптоэлектронных устройств. Созданы слоистые 2D-наноструктуры PbSe–MoS$_2$, в которых наблюдается эффективный фотоиндуцированный перенос заряда от нанопластин (НП) PbSe к MoS$_2$. При осаждении НП PbSe с короткими органическими лигандами на тонкий слой НП MoS$_2$ наблюдается уменьшение интенсивности фотолюминесценции НП PbSe и сокращение среднего времени затухания фотолюминесценции. При освещении слоистой 2D-наноструктуры PbSe–MoS$_2$ ИК излучением появляется фототок, что свидетельствует о вкладе НП PbSe в электрический отклик системы. Ультратонкие слои дихалькогенидов переходных металлов, сенсибилизированные наноструктурами на основе халькогенидов свинца, могут быть использованы в фотодетекторах с расширенной в ближний ИК диапазон областью спектральной чувствительности.

Ключевые слова: нанопластины, дихалькогениды переходных металлов, перенос заряда, ближний инфракрасный диапазон.

Поступила в редакцию: 28.09.2021
Исправленный вариант: 28.09.2021
Принята в печать: 13.10.2021

DOI: 10.21883/OS.2022.02.52003.2773-21

Реферативные базы данных:

•