Оптические материалы

Физические аспекты изменений в светоизлучающих структурах с InGaN/GaN квантовыми ямами при нагреве и кратковременных электрических воздействиях

А. М. Иванов, А. В. Клочков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Экспериментально подтверждена возможность улучшения оптических характеристик на начальных этапах старения нитридных квантоворазмерных структур путем нагрева, не превышающего 84$^\circ$С. Сконструированная камера позволяла проводить температурные измерения относительных изменений внешней квантовой эффективности и спектральной плотности низкочастотного шума при нагреве до 100$^\circ$С. Наблюдаемые улучшения внешней квантовой эффективности и оптической мощности ультрафиолетовых светодиодов происходят при более мягких термических воздействиях, чем в синих светодиодах. Объяснения полученных результатов строятся на изменениях в туннельном транспорте носителей в квантовые ямы и взаимодействии возникающих в них дефектов с индием.

Ключевые слова: внешняя квантовая эффективность, скачковая туннельная проводимость, низкочастотный шум.

Поступила в редакцию: 02.11.2024
Исправленный вариант: 12.02.2024
Принята в печать: 24.02.2025

DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24

Реферативные базы данных:

•