Труды международной конференции The XXVIII Annual International Conference "Saratov Fall Meeting 2024" , 23-27 сентября 2024 г., Саратов, Россия. Перспективные материалы оптоэлектроники, лазерной физики и фотоники
Оптические материалы

Влияние стехиометрии теллура и цинка на эллипсометрические спектры ZnTe/GaAs (100)

А. А. Грекова^ab, Е. А. Климов^a, А. Н. Виниченко^ab, И. Д. Бурлаков<sup>a

a</sup> Акционерное общество "НПО "Орион", Москва, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Аннотация: Исследовано влияние стехиометрии молекулярных потоков Zn : Te на оптические свойства теллурида цинка. Рассмотренные структуры ZnTe были получены на подложках GaAs (100) с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Посредством оптической эллипсометрии были определены эллипсометрические спектры параметра $\psi$. Исследование показало, что особенности Ван-Хова $E_1$ и $E_1+\Delta_1$, соответствующие 3.65 eV и 4.27 eV, являются характерными для соединения ZnTe. Избыток теллура в потоке падающего вещества приводит к одновременному уменьшению амплитуды и уширению экстремумов в спектре $\psi(\lambda)$ из-за образования дефектов, поглощающих видимое излучение. Спектры показателя $\psi$ и мнимой компоненты диэлектрической проницаемости в области $E> E_g$ содержат экстремумы, схожие по энергетическому положению. При преобладании одного из компонентов в соотношении Zn : Te, энергетические положения критических точек остаются постоянными при разной толщине образцов. Однако избыточный Zn в соотношении Zn : Te приводит к неопределенности энергетического положения края поглощения. Результаты исследования могут оказаться полезными для эллипсометрического экспресс-контроля стехиометрии и оценки кристаллического качества бинарных твердых растворов группы А$_2$В$_6$ в составе эпитаксиальных слоев.

Ключевые слова: теллурид цинка, спектральная эллипсометрия, молекулярно-лучевая эпитаксия, стехиометрия состава, эллипсометрические спектры.

Поступила в редакцию: 13.11.2024
Исправленный вариант: 27.01.2025
Принята в печать: 28.02.2025

DOI: 10.61011/OS.2025.03.60243.5-25

Реферативные базы данных:

•