Оптика и спектроскопия,
2025, том 133, выпуск 3,страницы 221–231(Mi os1603)
Труды международной конференции The XXVIII Annual International Conference "Saratov Fall Meeting 2024" , 23-27 сентября 2024 г., Саратов, Россия. Перспективные материалы оптоэлектроники, лазерной физики и фотоники Спектроскопия конденсированного состояния
Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами $\{\mathrm{InGaAs/InAlAs}\}$ с ориентациями (100) и (111)А
Аннотация:
Исследовано влияние встроенного электрического поля в гетероструктурах на генерацию терагерцового (ТГц) излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами поверхности гетероструктур, представляющих собой упруго напряженные сверхрешетки $\{$In$_{0.53+\Delta x}$Ga$_{0.47-\Delta x}$As/In$_{0.52-\Delta x}$Al$_{0.48+\Delta x}$As$\}$, эпитаксиально выращенные на подложках InP с ориентациями (100) и (111)А. В серии образцов варьировалось значение $\Delta x$, а следовательно, и значение упругих напряжений. “Красный” сдвиг пика на спектрах фотолюминесценции подтверждает наличие встроенного электрического поля в (111)А-гетероструктурах, вызванного пьезоэффектом. Показано, что (100)-гетероструктуры генерируют ТГц сигнал приблизительно одинакового уровня (разброс значений амплитуды ТГц поля не более 30% от среднего значения) независимо от упругих напряжений, в то время как в серии (111)А-гетероструктур ТГц сигнал значительно (на 75–90%) возрастает для сильно напряженных образцов.
Полный текст:
PDF файл (483 kB)