Международная конференция ФизикА.СПб, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Оптические материалы

Ближнее поле излучения и эффект неоднородности распределения плотности тока в AlInGaN микросветодиодах

А. Л. Закгейм^a, А. Е. Иванов^ab, А. Е. Черняков^a, Л. А. Алексанян^c, А. Я. Поляков<sup>c

a</sup> Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Аннотация: Объектом исследования являлись быстро развивающиеся в настоящее время микросветодиоды на основе наногетероструктур AlGaInN, обладающие высокими электролюминесцентными характеристиками, открывающими новые возможности применения. Исследование ближнего поля излучения с высоким пространственным разрешением (мэппинг) выявило высокую неоднородность плотности тока в широком диапазоне уровней возбуждения, а именно концентрацию света и тока в кольцевой области, примыкающей к боковой поверхности мезы. С учетом этого эффекта вводится понятие “эффективной” плотности тока, анализируются токовые зависимости энергетических характеристик, включая насыщение оптической мощности и падение квантовой эффективности.

Ключевые слова: AlInGaN, мезоструктура, микросветодиод, электролюминесценция, ближнее поле излучения, квантовый выход.

Поступила в редакцию: 21.05.2024
Исправленный вариант: 24.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/OS.2024.12.59800.6579-24

Реферативные базы данных:

•