Международная конференция ФизикА.СПб/2023 23-27 октября 2023 г., Санкт-Петербург
Спектроскопия конденсированного состояния

Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению

В. А. Сергеев^a, И. В. Фролов^a, А. А. Казанков<sup>b

a</sup> Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 432011 Ульяновск, Россия
^b Ульяновский государственный технический университет, 432027 Ульяновск, Россия

Аннотация: Исследованы параметры рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации.

Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, рекомбинационное излучение, распределение тока, неоднородность.

Поступила в редакцию: 11.05.2023
Исправленный вариант: 19.06.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/OS.2023.11.57001.5050-23

Реферативные базы данных:

•