RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Оптика и спектроскопия // Архив

Оптика и спектроскопия, 2024, том 132, выпуск 11, страницы 1165–1174 (Mi os1497)

Спектроскопия и физика атомов и молекул

Релятивистские расчеты потенциальных энергий низколежащих электронных состояний и дипольных моментов переходов радикала OH

Д. П. Усовa, Н. К. Дулаевa, А. В. Столяровb, Ю. С. Кожедубa, И. И. Тупицынa, В. М. Шабаевac

a Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет, Москва, Россия
c Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия

Аннотация: Релятивистский расчет молекулярных свойств низколежащих электронных состояний радикала OH выполнен с использованием различных неэмпирических методов квантовой химии. В результате исследования получены кривые потенциальной энергии для электронных состояний в широком диапазоне межъядерных расстояний, сходящихся к трем низшим диссоциационным пределам радикала OH. Для основного состояния установлены зависимости релятивистских поправок, вклада Гаунта, величины спин-орбитального расщепления и квантово-электродинамической поправки к полной энергии от межъядерного расстояния. Дополнительно была рассчитана кривая дипольного момента основного состояния в широком диапазоне межъядерных расстояний. Для электронных состояний, асимптотически приближающихся к первому диссоциационному пределу, вычислены кривые дипольных моментов переходов в основное состояние, включая спин-запрещенные переходы. Полученные результаты важны для исследования процессов формирования молекулы гидроксила в условиях межзвездной среды.

Ключевые слова: релятивистские эффекты, корреляционные эффекты, квантово-электродинамические поправки, гидроксил OH.

Поступила в редакцию: 15.11.2024
Исправленный вариант: 15.11.2024
Принята в печать: 25.11.2024

DOI: 10.61011/OS.2024.11.59506.7347-24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026