Аннотация:
Экспериментально показана возможность гибкого управления длиной волны излучения множественных квантовых ям In$_x$Ga$_{1-x}$As/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, составляющих активную область светодиодов ближнего ИК диапазона (850–960 nm), путем изменения их толщины и состава $x$. Методом МОГФЭ получены гетероструктуры с множественными квантовыми ямами, продемонстрировавшие высокую интенсивность фотолюминесценции. Благодаря общей постростовой технологии переноса гетероструктур на подложку-носитель и одинаковым процедурам монтажа изготовленные СИД продемонстрировали близкие электрооптические характеристики: энергоэффективность от 50 до 54% и внешний квантовый выход от 48 до 50%.
Полный текст:
PDF файл (205 kB)