Международная конференция ФизикА.СПб, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Оптические материалы

Исследование связи концентрации дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетероструктур с параметрами ватт-амперной характеристики

И. В. Фролов^a, В. А. Сергеев^a, О. А. Радаев^a, А. А. Казанков<sup>ba

a</sup> Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Ульяновск, Россия
^b Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия

Аннотация: Показано, что параметр функции, аппроксимирующей ватт-амперную характеристику светодиода InGaN/GaN в диапазоне малых токов, определяющий степень нелинейности ватт-амперной характеристики, обратно пропорционален корню квадратному из концентрации дефектов гетероструктуры. Эта зависимость подтверждена экспериментально установленными сильными корреляционными связями указанного параметра с уровнем низкочастотного шума светодиодов и параметрами неоднородности свечения гетероструктур в режиме микроплазменного пробоя. Указанный параметр может использоваться для оценки дефектности светоизлучающих гетероструктур.

Ключевые слова: светоизлучающая гетероструктура, концентрация дефектов, ватт-амперная характеристика, низкочастотный шум, микроплазменный пробой.

Поступила в редакцию: 03.05.2024
Исправленный вариант: 25.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/OS.2024.11.59499.6556-24

Реферативные базы данных:

•