Международная конференция ФизикА.СПб, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Спектроскопия конденсированного состояния

Тонкие пленки гексаферрита BaM (BaFe$_{12}$O$_{19}$) на подложках Al$_2$O$_3$(01–12): кристаллическая структура и магнитные свойства

Б. Б. Кричевцов^a, А. М. Коровин^a, С. М. Сутурин^a, А. А. Левин^a, Н. С. Соколов^a, В. В. Федоров^b, А. В. Телегин^c, Д. А. Шишкин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Эпитаксиальные пленки гексаферрита BaM (BaFe$_{12}$O$_{19}$) толщиной 50 nm выращены на подложках R-среза сапфира $\alpha$-Al$_2$O$_3$ (01–12) методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии (LMBE). Исследованы их кристаллическая структура, магнитные свойства до и после проведения послеростового отжига. Обнаружено, что в отожженных пленках, полученных методом LMBE, легкая ось магнитной анизотропии отклонена от нормали к поверхности, что дает возможность переключать намагниченность как нормальным, так и тангенциальным магнитными полями, и приводит к зависимости формы петель гистерезиса от ориентации поля в плоскости пленки.

Ключевые слова: гексаферриты, тонкие пленки, процессы намагничивания, лазерная молекулярно-лучевая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 28.04.2024
Исправленный вариант: 21.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/OS.2024.11.59495.6457-24

Реферативные базы данных:

•