Аннотация:
Представлены результаты количественного и качественного анализа тонкой структуры 2$p$-спектров высокого разрешения (60 meV) для поверхности Si(100)c(4$\times$2). Проведено моделирование 2$p$-линии для различных энергий фотонов, энергетического разрешения и плотности структурных дефектов в поверхностном слое кремния. Установлены предельные значения параметров эксперимента (энергии фотонов и разрешения), при которых характерные особенности спектров могут использоваться как индикатор состояния поверхности. Сделана оценка их чувствительности к вакансиям в слое поверхностных димеров. Полученные результаты могут быть применены в качестве справочных данных при проведении экспериментов и обработке результатов фотоэлектронной спектроскопии 2$p$-остовного уровня Si.
Полный текст:
PDF файл (969 kB)