Аннотация:
Проведена оценка влияния интерференции в тонких пленках на оптические характеристики голограмм, зарегистрированных на слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника системы As–Se. Измерены изменения величины отражения, пропускания и оптической разности хода лучей в процессе воздействия актиничного излучения He–Ne-лазера на слои. Показано, что интерференционные явления в тонких пленках приводят к колебаниям этих характеристик, а также к колебанию дифракционной эффективности голограмм при изменении толщины слоя.