Спектроскопия конденсированного состояния

Диагностика технологии оксидов титана и гафния методами люминесценции

С. В. Булярский, Г. Г. Гусаров, А. А. Дудин, Д. А. Коива, К. И. Литвинова

Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Показана роль вакансий кислорода в формировании полос люминесценции оксидов титана и гафния, а также продемонстрирована связь интенсивности полос люминесценции с условиями синтеза пленок этих материалов. Сделан вывод, что фотолюминесценция является очень чувствительным методом диагностики состава оксидов. Полосы люминесценции 2.45 eV в оксиде титана и 2.91 eV в оксиде гафния позволяют анализировать изменение состава пленок при различных технологических условиях их получения.

Ключевые слова: вакансии кислорода, оксид титана, оксид гафния, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 05.09.2022
Исправленный вариант: 18.11.2022
Принята в печать: 14.12.2022

DOI: 10.21883/OS.2023.01.54533.4086-22

Реферативные базы данных:

•