RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Оптика и спектроскопия // Архив

Оптика и спектроскопия, 2024, том 132, выпуск 2, страницы 161–168 (Mi os1153)

Оптические материалы

Исследование структурных и оптических свойств тонких пленок CdS в зависимости от времени химического осаждения

В. Ф. Гременокab, Е. П. Зарецкаяa, А. В. Станчикba, К. П. Бускисa, С. T. Пашаянc, А. С. Токмаджянd, А. С. Мусаелянd, С. Г. Петросянd

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Республика Беларусь
b Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Республика Беларусь
c Институт физических исследований АН Армении, 0204 Аштарак-2, Армения
d Институт радиофизики и электроники НАН Республики Армения, 0204 Аштарак, Армения

Аннотация: Тонкие пленки CdS были получены химическим осаждением на стеклянные подложки для потенциального применения в качестве буферных слоев в тонкопленочных фотопреобразователях. Методами рентгеновского фазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния установлено, что синтезированные в оптимальных технологических режимах пленки CdS кристаллизуются в гексагональной структуре вюрцита. Показано, что время осаждения оказывает влияние на скорость роста, морфологические и микроструктурные характеристики синтезированного материала. С увеличением длительности синтеза при заданной температуре раствора наблюдается значительное снижение шероховатости поверхности, сопровождаемое уменьшением размеров кластеров кристаллитов и микроструктурных дефектов. Оптическая ширина запрещенной зоны пленок CdS составляет 2.53–2.57 eV. Наличие ярко выраженной зеленой полосы излучения в спектрах фотолюминесценции показывает, что пленки CdS обладают высокой степенью кристалличности при минимальной плотности дефектов.

Ключевые слова: пленки CdS, химическое осаждение, микроструктура, оптические свойства, оптическая ширина запрещенной зоны, спектры фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 27.11.2023
Исправленный вариант: 24.01.2024
Принята в печать: 28.02.2024

DOI: 10.61011/OS.2024.02.57775.5731-23



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026