RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Наносистемы: физика, химия, математика // Архив

Наносистемы: физика, химия, математика, 2025, том 16, выпуск 6, страницы 755–762 (Mi nano1416)

PHYSICS

Subwavelength LIPSS-based nanopatterning of thin titanium films

[Наноструктурирование тонких титановых пленок на основе субволновых ЛИППС]

A. S. Khramov, M. D. Vasilev, D. A. Sinev, E. A. Shakhno

ITMO University, St.Petersburg, Russia

Аннотация: Прецизионное наноструктурирование тонких пленок является важной задачей в производстве современных элементов оптоэлектроники и фотоники. Прямая запись лазерно-индуцированных периодических поверхностных структур (ЛИППС) является перспективным инструментом для прямого субволнового наноструктурирования. Недавние исследования показывают, что динамика формирования ЛИППС существенно изменяется, если пленка является оптически тонкой. В этой работе представлена комплексная аналитическая модель, призванная сократить разрыв между ожидаемой динамикой электромагнитных полей во время формирования ЛИППС и экспериментально получаемыми результатами наноструктурирования. Феноменологическая модель распространения поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ) на границе раздела пленка–подложка иллюстрирует механизм формирования ЛИППС с использованием периодического распределения концентрации энергии ПЭВ. Рассчитаны характеристики ПЭВ в зависимости от толщины металлической пленки, а также показана положительная обратная связь между локальной толщиной растущего оксидного слоя и концентрацией энергии ПЭВ. Изменения в механизмах формирования ЛИППС подтверждены экспериментально на пленках титана различной толщины. Эти результаты проясняют внутренние физические механизмы формирования ЛИППС на тонких металлических пленках и расширяют возможности применения ЛИППС для наноструктурирования.

Ключевые слова: лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры, ЛИППС, наноструктурирование, тонкие пленки, прямая лазерная запись.

Поступила в редакцию: 01.08.2025
Принята в печать: 23.11.2025

Язык публикации: английский

DOI: 10.17586/2220-8054-2025-16-6-755-762



© МИАН, 2026