CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE

Influence of precursors variation on the morphology and electrochemical performance of NiS$_x$ thin films synthesized via the SILAR

[Влияние варьирования прекурсоров на морфологию и электрохимические характеристики тонких пленок NiS$_x$, синтезированных с помощью метода SILAR]

M. V. Kaneva, A. A. Meleshko, M. I. Tenevich, M. O. Enikeeva, I. A. Kodintsev, A. A. Lobinsky

Ioffe Institute, Hydrogen Energy Laboratory, St. Petersburg, Russia

Аннотация: В данной работе тонкие пленки сульфида никеля были синтезированы методом SILAR с использованием различных солей никеля в качестве прекурсоров. Было систематически исследовано влияние соли-прекурсора на морфологию и электрохимические характеристики слоев. Анализ СЭМ показал, что пленки NiS$_x$, полученные из хлорида никеля, демонстрируют наиболее однородную и свободную от трещин морфологию. Электрохимические измерения показали корреляцию между морфологией пленок и емкостными характеристиками. В частности, электрод на основе NiS$_x$, синтезированный с использованием раствора соли хлорида никеля, показал максимальную удельную емкость, равную 1902 Ф/г при плотности тока 1 А/г. Полученные результаты подчеркивают решающую роль выбора прекурсора в оптимизации структурных и электрохимических свойств электродов на основе сульфида никеля для применения в устройствах хранения энергии.

Ключевые слова: cульфид никеля, прекурсоры, тонкие пленки, SILAR, электрод, суперконденсатор.

Поступила в редакцию: 21.08.2025
Принята в печать: 26.08.2025

Язык публикации: английский

DOI: 10.17586/2220-8054-2025-16-5-706-711