PHYSICS

Surface electronic structure of TbIr$_2$Si$_2$ antiferromagnet

[Поверхностная электронная структура TbIr$_2$Si$_2$ антиферромагнетика]

D. A. Perminova^a, I. A. Shvets^b, D. Yu. Usachov^b, D. V. Vyalikh^b, S. V. Eremeev<sup>ab

a</sup> Institute of Strength Physics and Materials Science, Russian Academy of Sciences, 634055 Tomsk, Russi
^b St. Petersburg State University, 199034 St. Petersburg, Russia

Аннотация: С помощью ab initio расчетов в рамках теории функционала плотности (DFT) мы изучили поверхностную электронную структуру антиферромагнетика TbIr$_2$Si$_2$, который характеризуется ориентацией магнитных моментов Tb 4$f$ перпендикулярно плоскости магнитных атомов и высокой температурой Нееля. Мы проанализировали взаимодействие между спин-орбитальными и обменными взаимодействиями и их влияние на дисперсию поверхностных состояний, находящихся в проецируемой запрещенной зоне вблизи точки $\bar{\mathrm{M}}$ поверхностной зоны Бриллюэна, и сравнили результаты расчётов с низкотемпературными измерениями фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES).

Ключевые слова: магнитные редкоземельные интерметаллические материалы, поверхностная электронная структура, теория функционала плотности, фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением.

Поступила в редакцию: 02.07.2025
Исправленный вариант: 20.07.2025
Принята в печать: 21.07.2025

Язык публикации: английский

DOI: 10.17586/2220-8054-2025-16-4-467-471

Реферативные базы данных:

•