PHYSICS

Effect of electron-phonon interaction on the first excited energy level of a Gaussian GaAs quantum dot

[Эффект электрон-фононного взаимодействия на первом возбужденном уровне энергии гауссовой квантовой точки GaAs]

S. Mukhopadhyay^a, Ch. Vidyullatha^b, P. Saini^c, Z. Malik<sup>d

a</sup> CVR college of Engineering, Mangalpalli, Ibrahimpatnam, Hyderabad 501510, Telangana, India
^b CMR College of Engineering and Technology, Medchal, Hyderabad 50140, Telangana, India
^c Institute of Physics, Bhubaneswar, 751005, Odisha, India
^d North Carolina State University, Raleigh, 27606, USA

Аннотация: Эффект электрон-фононного взаимодействия на первом возбужденном состоянии трехмерной полярной полупроводниковой квантовой точки с гауссовым ограничением изучается с использованием теории возмущений Рэлея–Шредингера второго порядка. Аналитическое выражение для поляронной поправки первого возбужденного состояния получено в правдоподобном приближении. Показано, что эта энергия зависит как от силы, так и от диапазона гауссова потенциала. Наконец, наша теория применяется к квантовой точке GaAs, и показано, что поляронный эффект на первом возбужденном уровне может быть значительно большим, если размер точки мал. Поскольку информация о возбужденных состояниях важна для изучения явлений декогеренции, наши результаты могут быть полезны для обработки квантовой информации.

Ключевые слова: электрон-фононное взаимодействие; первое возбужденное состояние; квантовая точка GaAs.

Поступила в редакцию: 28.04.2025
Исправленный вариант: 20.05.2025
Принята в печать: 21.05.2025

Язык публикации: английский

DOI: 10.17586/2220-8054-2025-16-3-306-310

Реферативные базы данных:

•