PHYSICS

Influence of SiC MOSFET design on on-resistance and breakdown voltage

[Влияние конструкции SiC MOSFET на его сопротивление открытого канала и пробивное напряжение]

O. B. Chukanova, K. A. Tsarik

National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia

Аннотация: Для повышения эффективности схем на основе SiC MOSFET необходимо увеличивать их удельные токи и надежность, соответственно, необходимо уменьшать сопротивление транзистора в открытом состоянии и увеличивать их пробивное напряжение. Для достижения этих целей исследованы зависимости электрофизических характеристик транзистора от его конструктивно-технологических особенностей при помощи Sentaurus TCAD. Показано, что для увеличения токов транзистора необходимо уменьшать длину канала, расстояние между $р$-базами истоков транзистора и создавать JFET область. Для увеличения пробивного напряжения прибора предложено увеличивать степень легирования области дрейфа, а также предложена новая конструкция транзистора, которая позволит получать приборы с пробивным напряжением различных номиналов до 2500 В.

Ключевые слова: SiC MOSFET, TCAD, JFET легирование, пробивное напряжение.

Поступила в редакцию: 11.11.2024
Исправленный вариант: 30.05.2025
Принята в печать: 31.05.2025

Язык публикации: английский

DOI: 10.17586/2220-8054-2025-16-3-282-290

Реферативные базы данных:

•