Физическая электроника

Влияние поверхностного окисления и интерфейсов на магнитные свойства системы Co/Al$_2$O$_3$/Co

А. В. Кобяков^ab, Г. С. Патрин^ab, В. И. Юшков^ab, Д. А. Иванов^ab, В. А. Комаров^ab, Р. Ю. Руденко<sup>a

a</sup> Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
^b Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, Обособленное подразделение Федерального исследовательского центра Красноярский научный центр СО РАН, 660036 Красноярск, Россия

Аннотация: Изучено магнитное поведение трехслойных образцов Сo/Al$_2$O$_3$/Co, полученных магнетронным методом с переменной толщиной оксидной прослойки от 3 до 8 nm и постоянными толщинами магнитных слоев кобальта 10 nm. Проанализированы вклады в магнитное поведение от верхней окисленной поверхности кобальта (интерфейс Co–CoO), межслойного взаимодействия слоев кобальта и эффектов из-за дефектов на интерфейсах Co/Al$_2$O$_3$ и Al$_2$O$_3$/Co. Обнаружено отрицательное обменное смещение при низких температурах. Температура появления ступенчатой петли гистерезиса увеличивалась с ростом толщины оксидной прослойки.

Ключевые слова: интерфейс, ферромагнетик, оксидная прослойка, межслоевое взаимодействие, обменное смещение.

Поступила в редакцию: 11.07.2025
Исправленный вариант: 07.08.2025
Принята в печать: 08.09.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62300.178-25