М. Ю. Захарина, К. В. Арсеньева, М. А. Батенькин, А. Н. Конев, Р. С. Ковылин, А. А. Локтева, А. Е. Пестов, А. Н. Нечай, А. Я. Лопатин, А. А. Перекалов, С. А. Чесноков, А. В. Пискунов, И. Л. Федюшкин, “Формирование перспективных для электронно-лучевой и экстремально-ультрафиолетовой нанолитографии тонкопленочных резистивных материалов на основе оловоорганических оксокластеров”, ЖТФ, 2026, том 96, выпуск 2,страницы 383

Физическая электроника

Формирование перспективных для электронно-лучевой и экстремально-ультрафиолетовой нанолитографии тонкопленочных резистивных материалов на основе оловоорганических оксокластеров

М. Ю. Захарина^a, К. В. Арсеньева^a, М. А. Батенькин^a, А. Н. Конев^a, Р. С. Ковылин^a, А. А. Локтева^a, А. Е. Пестов^b, А. Н. Нечай^b, А. Я. Лопатин^b, А. А. Перекалов^b, С. А. Чесноков^a, А. В. Пискунов^a, И. Л. Федюшкин^a

^a Институт металлоорганической химии им. Г. А. Разуваева РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН", 603087 Афонино, Кстовский р-он, Нижегородская обл., Россия

Аннотация: Разработаны условия формирования на поверхности подложки из монокристаллического кремния пленок толщиной 10–60 nm из органических растворов алкильных и неалкильных оксокластеров олова ТОС-21 и TinS с шероховатостью менее 1 nm для пленок на основе ТОС-21. Экспонирование пленок электронным лучом или излучением с длиной волны 13.5 nm позволило сформировать на поверхности подложки микроструктуры из оловосодержащего вещества.

Ключевые слова: оксокластер, негативный резист, тонкие пленки, электронно-лучевая литография, экстремально-ультрафиолетовая литография, нанолитография.

Поступила в редакцию: 25.04.2025
Исправленный вариант: 14.10.2025
Принята в печать: 15.10.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62298.85-25