Твердотельная электроника

Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Н. Д. Ильинская, Ф. Ю. Солдатенков, А. А. Пивоварова, Р. А. Салий, Н. М. Лебедева, Р. В. Левин, В. С. Эполетов, П. В. Покровский, Д. А. Малевский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработаны методы снижения резистивных потерь и емкости фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (1.55 $\mu$m) на основе InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Проведены исследования различных контактных систем: NiCr/Ag/Au, AgMn/Ni/Au, Cr/Au/Ni/Au и Pd/Ge/Au, Au(Ge)/Ni/Au к слоям InGaAs и InP $p$- и $n$-типа проводимости соответственно. Проведен анализ влияния состава и режимов формирования омических контактов на величину удельного контактного сопротивления и вольт-амперные характеристики приборов. Минимальные значения удельного контактного сопротивления получены при формировании омического контакта Pd/Ge/Au к $n^+$-InGaAs ($\sim$10$^{-7}$ $\Omega$ $\cdot$ cm$^2$) и NiCr/Ag/Au к $p$-InGaAs (-10$^{-6}$ $\Omega$ $\cdot$ cm$^2$). Разработана конструкция фотоэлектрических преобразователей с диаметром фоточувствительной области от 30 $\mu$m с контактной системой “мостикового” типа, которая позволила уменьшить площадь $p$–$n$-перехода в фотоэлементе и соответственно его емкость.

Ключевые слова: InGaAs/InP фотоэлектрический преобразователь, контактные системы, резистивные потери.

Поступила в редакцию: 02.06.2025
Исправленный вариант: 28.07.2025
Принята в печать: 07.08.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62294.135-25