Твердотельная электроника

Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, Д. А. Малевский, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнены исследования различных конструкций светоизлучающих инфракрасных (840 nm) диодов на основе AlGaAs/GaInAs-гетероструктур с множественными квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Снижение оптических потерь излучения в светоизлучающих диодах достигнуто при встраивании в конструкцию многослойных комбинированных отражателей путем переноса тонких слоев гетероструктуры на подложку-носитель на основе полупроводникового материала (Si, GaAs) или металла (Cu, Au). Проведен анализ влияния конструкций прибора на характеристики светоизлучающих диодов. Максимальные значения эффективности 46% при плотности тока 10–20 A/cm$^2$ достигнуты в приборах на GaAs-подложке-носителе. Снижение резистивных потерь и увеличение оптической мощности до 730 mW при рабочем токе 1.2 A получено в приборах на металлической подложке-носителе.

Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, AlGaAs/GaInAs-гетероструктура, подложка-носитель.

Поступила в редакцию: 06.05.2025
Исправленный вариант: 30.09.2025
Принята в печать: 06.10.2025

DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62292.107-25