Эта публикация цитируется в 1 статье

Приборы и методы эксперимента

Устойчивость системы кристалл-расплав при выращивании крупногабаритных кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава

П. В. Смирнов, А. А. Русанов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована устойчивость системы кристалл-расплав и скорости кристаллизации по Ляпунову для выращивания кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава. Рассчитаны зависимости времени релаксации от условий выращивания. Построены расчетные графики переходных процессов при различных возмущениях. Показано, что для получения оптически однородных кристаллов необходимо соблюдать условия устойчивости именно скорости кристаллизации, а не системы кристалл-расплав в целом, причем максимум устойчивости скорости кристаллизации достигается при максимальном градиенте температуры на фронте кристаллизации и минимальном уровне расплава в тигле.

Поступила в редакцию: 24.10.2009
Принята в печать: 15.02.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:11, 1669–1679

Реферативные базы данных:

•