В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, А. Г. Гнедовец, В. Н. Неволин, “О механизме формирования химического состава тонкопленочных слоев из дихалькогенидов переходных металлов при импульсном лазерном осаждении”, ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 10,страницы 120

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

О механизме формирования химического состава тонкопленочных слоев из дихалькогенидов переходных металлов при импульсном лазерном осаждении

В. Ю. Фоминский^a, Р. И. Романов^a, А. Г. Гнедовец^a, В. Н. Неволин^b

^a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: На примере тонкопленочных покрытий MoSe$_x$ исследованы особенности формирования химического состава халькогеносодержащих слоев при импульсном лазерном осаждении в вакууме и в разреженных газах (Ar, H$_2$). Установлено, что применение газов позволяет повышать концентрацию селена и несколько выравнивать распределение состава по поверхности подложки. Для выяснения механизмов формирования слоев MoSe$_x$ использовалась компьютерная модель, имитирующая движение импульсного лазерно-инициированного атомарного потока через разреженную газовую среду. С помощью этой модели проведен расчет энергетических и угловых параметров атомарных потоков Mo и Se при осаждении на подложку. Показано, что особенности динамики разлета компонентов лазерного факела (Mo и Se) и селективное распыление селена являются основными факторами, определяющими формирование химического состава и его распределение по поверхности подложки. Рассмотрено влияние природы газовой среды на эффективность торможения и рассеяния атомарного потока и потери осаждаемой массы при прохождении через различные газы.

Поступила в редакцию: 16.02.2010