Эта публикация цитируется в 10 статьях

Твердотельная электроника

Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов

Н. А. Поклонский^a, Н. И. Горбачук^a, С. В. Шпаковский^b, A. Wieck<sup>c

a</sup> Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Белоруссия
^b УП "Завод Транзистор", Научно-производственное объединение "Интеграл", 220064 Минск, Белоруссия
^c Ruhr-Universitaet Bochum, D-44780 Bochum, Germany

Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с $p^+$–$n$-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 $\mu$m, удельное сопротивление $\rho$ = 30 $\Omega$ $\cdot$ cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), $\rho$ = 0.01$\Omega$ $\cdot$ cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3.5 MeV) электронами флюенсами от 5 $\cdot$ 10$^{15}$ до 2 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной $RC$-цепи, не описывает зависимость электрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ от частоты переменного тока $f$ в диапазоне 10$^2$–3 $\cdot$ 10$^7$ Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы $n$-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты $f$, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями.

Поступила в редакцию: 25.02.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:10, 1463–1471

Реферативные базы данных:

•