Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Воздействие латеральных растягивающих напряжений на низкотемпературное электро- и магнетосопротивление наноразмерных пленок La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$

Ю. А. Бойков, В. А. Данилов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Варьирование толщины ($d_1$ = 7–70 nm) буферной прослойки из титаната стронция, введенной между манганитной пленкой La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$ и подложкой (001)La$_{0.29}$Sr$_{0.71}$Al$_{0.65}$Ta$_{0.35}$O$_3$, позволило направленно воздействовать на эффективное рассогласование m в параметрах их кристаллических решеток. С увеличением $m$ электросопротивление $\rho$ пленок возрастало, а максимум на зависимости $\rho(T)$ сдвигался в сторону низких температур. При $T<$ 150 K зависимость $\rho$ манганитных пленок от температуры следовала соотношению $\rho=\rho_1+\rho_2T^{4.5}$, где параметр $\rho_1$ не реагировал на изменение температуры и магнитного поля. Коэффициент $\rho_2$ уменьшался с ростом напряженности магнитного поля, но возрастал с увеличением рассогласования в параметрах кристаллических решеток пленки и подложки, когда эффективная концентрация дырок в манганитных слоях уменьшалась.

Поступила в редакцию: 27.05.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:8, 1183–1188

Реферативные базы данных:

•