В. Ф. Дворянкин, Г. Г. Дворянкина, Ю. М. Иванов, А. А. Кудряшов, А. Г. Петров, “Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с $p$–$n$-переходом”, ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 7,страницы 156

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с $p$–$n$-переходом

В. Ф. Дворянкин^a, Г. Г. Дворянкина^a, Ю. М. Иванов^b, А. А. Кудряшов^a, А. Г. Петров^a

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Московская область, Россия
^b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 117333 Москва, Россия

Аннотация: Изготовлены детекторы рентгеновского излучения на основе CdTe с $p$–$n$-переходами, полученными диффузией In в $p$-CdTe. Впервые исследованы основные характеристики детектора. Показана высокая чувствительность детектора к рентгеновскому излучению при малых напряжениях смещения (до -50 V) в диапазоне эффективных энергий рентгеновского излучения 28–72 keV. Продемонстрировано преимущество фотовольтаических детекторов на основе CdTe c $p$–$n$-переходами перед рентгеновскими детекторами на основе Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te.

Поступила в редакцию: 12.01.2010