А. А. Соколов, А. А. Овчинников, К. М. Лысенков, Д. Е. Марченко, Е. О. Филатова, “Рентгеноспектроскопическое исследование тонких пленок HfO$_2$, синтезированных на Si (100) методами ALD и MOCVD”, ЖТФ, 2010, том 80, выпуск 7,страницы 131

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Рентгеноспектроскопическое исследование тонких пленок HfO$_2$, синтезированных на Si (100) методами ALD и MOCVD

А. А. Соколов^a, А. А. Овчинников^a, К. М. Лысенков^a, Д. Е. Марченко^b, Е. О. Филатова^a

^a Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
^b BESSY II, Helmholtz-Zentrum Berlin, D-12489 Berlin, Germany

Аннотация: Пленки HfO$_2$ толщиной 5 nm, выращенные методами гидридной эпитаксии (МОCVD) и молекулярного наслаивания (ALD) на подложках Si(100), изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с Ar$^+$ ионным травлением и рентгеновской рефлектометрией. Установлено, что пленки, синтезированные разными методами, имеют разную микроструктуру (пленка HfO$_2$ (ALD) является аморфной, а пленка HfO$_2$ (MOCVD) имеет признаки кристаллизации); поверхность пленки, синтезированной методом ALD, является менее устойчивой к загрязнению и/или более химически активной; на интерфейсе пленки, синтезированной методом MOCVD, присутствует больше диоксида кремния по сравнению с пленкой, синтезированной методом ALD. Также показано, что травление поверхности пленки HfO$_2$ ионами аргона приводит к образованию вблизи интерфейса слоя металлического гафния. Последнее обстоятельство указывает на возможность использования HfO$_2$ не только в качестве подзатворного диэлектрика, но и материала, пригодного для создания наноразмерных проводников путем прямого разложения окисла.

Поступила в редакцию: 21.09.2009