Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Влияние имплантации ионов Cr$^+$ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi$_2$/Si(111)

Н. Г. Галкин^a, Д. Л. Горошко^a, К. Н. Галкин^a, С. В. Ваванова^a, И. А. Петрушкин^a, А. М. Маслов^a, Р. И. Баталов^b, Р. М. Баязитов^b, В. А. Шустов<sup>b

a</sup> Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, 690041 Владивосток, Россия
^b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН, 420029 Казань, Россия

Аннотация: Впервые исследовано влияние импульсного ионного отжига (ИИО) на морфологию, структуру и фазовый состав поверхности образцов монокристаллического Si(111), которые были имплантированы ионами хрома (Cr$^+$) с дозами от 6 $\cdot$ 10$^{15}$ до 6 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, и на последующий рост кремния. Показано, что ИИО приводит к перераспределению атомов хрома в приповерхностной области кремния и к синтезу поликристаллических преципитатов дисилицида хрома (CrSi$_2$). Установлено, что сверхвысоковакуумная (СВВ) очистка при температуре 850$^\circ$C образцов кремния после имплантации и ИИО приводит к формированию атомарночистой поверхности с развитым рельефом. Рост кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) приводит к эпитаксиальному ориентированию трехмерных островков кремния и постепенному их срастанию при толщине слоя около 100 nm и дозах имплантации до 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Повышение дозы имплантации приводит к росту поликристаллического кремния. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической отражательной спектроскопии, внутри кремния формируются преципитаты полупроводникового CrSi$_2$, которые диффузионно перемещаются в слой кремния в процессе его роста.

Поступила в редакцию: 03.09.2009

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2010, 55:7, 1036–1044

Реферативные базы данных:

•